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此外,材料、制造設(shè)備的改進(jìn)與COB的發(fā)展相輔相成,也加速了COB性價(jià)比的提升,顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。
,不能做很好的光學(xué)處理.MCOB和傳統(tǒng)的不同,MCOB技術(shù)是芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的,是根據(jù)光學(xué)做出來(lái)的,不僅是一個(gè)杯,要做好多個(gè)杯,LED芯片光是集中在芯片內(nèi)部的,要讓光能更多的跑出來(lái),需要非常多的角,就是說(shuō)出光的口越多越好,效率就能提升.正裝、倒裝、垂直LED全光譜COB光源芯片結(jié)構(gòu)三大流派,全光譜COB光源倒裝技術(shù)并不是一個(gè)新的技術(shù),其實(shí)很早之前就存在了。
其中P(T)為輻射能量,σ為斯特藩—玻耳茲曼常量,ε為發(fā)射率,紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān),由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的,為了精準(zhǔn)測(cè)溫,可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上,待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后,用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度,再調(diào)整材料的發(fā)射率,使其溫度顯示為正確溫度。
全光譜COB光源它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上,從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果,并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫;全光譜COB光源光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè),電流須橫向流過(guò)n-GaN層,導(dǎo)致電流擁擠,局部發(fā)熱量高,限制了驅(qū)動(dòng)電流;其次,由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差,嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中,因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫,影響到硅膠的性能和透過(guò)率,從而造成較大的光輸出功率衰減。
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